概要
国家标准计划《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委
项目进度
起草
征求意见
审查
批准
发布
基础信息
- 20252259-T-469
- 修订
- 16个月
- 2025-07-01
- GB/T 11297.6-1989,
- 方法
- 29.045
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 国家标准委
起草单位
中国电子科技集团公司第十一研究所、中国电子技术标准化研究院、中航凯迈红外科技有限公司